朱勤生,研究员,博士生导师。1951年5月生。1978年毕业于南京工学院(东南大学),后考入南京大学物理系攻读硕士研究生,后留校任教。经选拔,于1983年赴日本名古屋大学学习,1986年获硕士学位,1989年获博士学位。在日本期间,主要从事红光InGaAsP/GaAs材料光电特性和蓝紫光GaN材料的物理特性研究。1991年回国,并一直在中国科学院半导体研究所长期从事宽禁带半导体低维结构材料与器件物理研究工作。1995年至2000年曾任表面物理国家重点实验室(半导体所区)实验室主任。2002年作为学术带头人加入半导体材料科学重点实验室MOCVD组(现更名为超宽禁带半导体材料研究组)。2011年5月退休后返聘为学术顾问。2014年4月26日下午5时30分许在家中身亡。
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